半导体可分为本征半导体和杂质半导体。
本征半导体是指完全纯净，结构完整的半导体。
杂质半导体又分为P型半导体和N型半导体。其中P型半导体是掺杂了+3价杂质。N型半导体是掺杂+5价杂质的，P型半导体中空穴大于电子，因而以空穴导电为主，空穴为多数载流子。N型半导体中电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
2.关于PN结：
概念：PN结又称为空间区，耗尽层，势垒区。
PN结的接触电势差：PN结的空间电荷区存在电场，电场方向从N区指向P区，这个电位差称作PN结的接触电势差。
PN结的特性：单向导电性，正向导通，反向截至。
PN结反向击穿：雪崩击穿和齐纳击穿。前者是由于本征激发产生的倍增效应。后者是由于隧道相应。
3.半导体二极管的基本参数：
门槛电压Vth（硅管0.5，锗管0.1v）
最大整流电流If:允许通过的最大正向平均电流。
反向击穿电压Vbr：反向击穿时的电压值。
反向电流Ir：指管子未击穿时的反向电流。
势垒电容CB：描述势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容效应。
当外加电压频率越高时，每秒充放电的次数越多，势垒电容的作用就越显著。
扩散电容CD：积累在P区的或N区的空穴随电压改变就构成了PN结的扩散电容CD，它反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中的积累情况。
4.PN结的高频等效：
如图所示为PN结的高频等效电路<>
当高频运用时必须考虑电容的影响，其中r为结电阻，C为结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了和本身的工艺有关外海域外加电压有关。
分析：由电路来看电容是和结电阻并联的。在正向偏置时PN结的势垒电容和扩散电容都很大，由于这时结电阻很小，结点容较大，这是尽管势垒电容也比较大，但其作用对电路来说反而比较小，这是电容c主要取决于扩散电容Cd。当反偏时，r为反向结点阻，阻值很大，结点容较小，这是c主要取决于势垒电容cb。
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