1.分类
JFET：结型场效应管
MOSFET:金属氧化物半导体场效应管
分为N沟道和P沟道，N沟道和P沟道又分为耗尽型和增强型两种。
所谓耗尽层就是当Vgs=0时，存在导电沟道，Id不为零
增强型就是当VGS=0时，没有导电沟道，Id=0.
2.结构（以N沟道增强型MISFET为例）
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1.分类
JFET：结型场效应管
MOSFET:金属氧化物半导体场效应管
分为N沟道和P沟道，N沟道和P沟道又分为耗尽型和增强型两种。
所谓耗尽层就是当Vgs=0时，存在导电沟道，Id不为零
增强型就是当VGS=0时，没有导电沟道，Id=0.
2.结构（以N沟道增强型MISFET为例）
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